Industry Information
功率电子器件即功率半导体器件（powerelectronicdevice），通常是指用于控制大功率电路的电子器件（数十至数千安培的电流，数百伏以上的电压）以及转换电力设备间电能的器件。功率半导体器件的大规模集成化、大功率小型化、高效率低损耗、超高频的发展而引发的电路发热也迅速提高，电子封装对基板材料的要求有：热导率高、介电常数低、与芯片材料的热膨胀系数相匹配、力学强度优良、加工性能好、成本低、耐热
氮化铝陶瓷硬度高、难加工。在氮化铝陶瓷的各应用领域中，都对其表面加工质量和精度提出了较高要求，脆硬材料在加工过程中容易产生脆性断裂引起加工表面产生破碎层、脆性裂纹、残余应力、塑性变形区等一系列表面缺陷。陶瓷基板在LED器件中主要面对热力学环境的工作条件，因而上述缺陷会极大地影响基板的性能，降低器件的使用稳定性和寿命。因此，实现氮化铝陶瓷基板表面的近无损伤加工是十分必要的。目前，为了获得表面质量较高
摘要：针对半导体工艺与制造装备的发展趋势进行了综述和展望。首先从支撑电子信息技术发展的角度，分析半导体工艺与制造装备的总体发展趋势，重点介绍集成电路工艺设备、分立器件工艺设备等细分领域的技术发展态势和主要技术挑战。在过去的20年中，个人计算机及手机的发展驱动半导体技术不断进步，先后创造了互联网时代和移动互联网时代，当前，云计算、大数据、人工智能、5G、物联网等成为新的发展热点，正在掀起信息技术创新
如果把芯片比作一幅平面雕刻作品，那么光刻机是打草稿的画笔，刻蚀机则是雕刻刀，沉积的薄膜则是用来雕刻的材料。光刻的精度直接决定了元器件刻画的尺寸，刻蚀和薄膜沉积的精度则决定了光刻的尺寸能否实际加工，而为了将芯片电路图从掩模转移到晶圆上，以实现预定的芯片功能，刻蚀工艺是其中重要的一环。在芯片制造中，光刻和刻蚀是两个精密相连的步骤，刻蚀的前道工序是光刻，通过光刻胶将电路图显影在晶圆上，之后再利用刻蚀的方
5月16日，京瓷在中期营运计划说明会上宣布，今后3年间（2023年-2025年）的设备投资总额最高将达8500亿日元（约合人民币435亿元），其中的4000亿日元（约合人民币205亿元）将用于发展半导体业务，对半导体的投资规模将达此前3年间（2020年-2022年）的2.3倍水平。这项三年的资本支出计划将是京瓷有史以来规模最大的资本支出计划，无论是总体投资还是半导体相关投资。此次对于其重金投入的半
陶瓷材料是人类生活和现代化建设中不可缺少的一种材料。它是继金属材料，非金属材料之后人们所关注的无机非金属材料中最重要的材料之一。它兼有金属材料和高分子材料的共同优点，在不断改性的过程中，陶瓷材料以其优异的性能在材料领域独树一帜，受到人们的高度重视，在未来的社会发展中将发挥非常重要的作用。其中氧化物陶瓷具有高硬度，高耐磨性、耐腐蚀等特点，特别是其不存在氧化问题，因而作为一种特殊的结构陶瓷材料而有着广
新材料产业被认为是21世纪最具发展潜力并对未来发展有着巨大影响的产业。新材料是推动人类文明进步的强劲动力，也是推动我国技术进步、产业升级、国家安全、全面建成社会主义现代化强国的基石。以美国为首的西方发达国家联手打压我国，打压领域除信息技术之外，主要集中在新材料和高端制造领域，而高端制造的支撑是新材料，信息技术运用的物质基础也是新材料，可以说，以美国为首的西方国家联手打压的根本点是在新材料。不论是从
据美国复合材料商协会双月刊杂志“CompositesManufacturing”日前报道，英国原子能管理局（UKAEA）牵头，与英国国家复合材料中心（NCC）合作开展了一项专注于使用碳化硅复合材料（SiC/SiC）解决核聚变反应堆工作效率的计划。陶瓷基复合材料（CMC）是指在陶瓷基体中引入作为增韧材料的第二相材料形成的多相复合材料。碳化硅复合材料（SiC/SiC）一般是指通过碳化硅纤维增强SiC陶
2018年，美国18岁高中生SamZeloof在自家车库中造出了第一个光刻“自制”（homemade）微芯片。自制的意思是，在他车库里包括光刻机在内的几乎所有设备，都是Zeloof网购和亲手改良的。而他的所谓光刻机其实就只是把一个投影仪改装后安装在显微镜上而已。以上的故事说明，光刻机的原理和制造并不难，它“卡脖子”的关键其实在于精度（误差）——对光掩模和半导体基板的位置和姿态进行高精度的控制才能实
半导体行业作为现代电子信息产业的基础，是支撑国民经济高质量发展的重要行业。碳化硅材料主要包括单晶和陶瓷2大类，无论是作为单晶材料还是陶瓷材料，碳化硅在半导体行业发挥重要作用。单晶方面，碳化硅作为目前发展最成熟的第三代半导体材料，是近年来最火热的材料之一。尤其是在“双碳”战略背景下，碳化硅被深度绑定新能源汽车、光伏、储能等节能减碳行业，万众瞩目。陶瓷方面，碳化硅凭借其优异的高温力学强度、高硬度、高弹
基于LTCC为基础的多层结构设计可有效减小器件体积，是实现元器件向小型化、集成化、高可靠性和低成本发展的重要途径。LTCC基板的制备核心技术是高质量基片的坯体成型，目前的成型方法主要有流延、干压、轧膜等，其中流延法生产效率高，自动化水平高，成型坯体性能的重复性和尺寸的一致性水平高，是理想的LTCC基板的成型技术。一、LTCC基片流延成型工艺流程LTCC陶瓷基片流延工艺包括浆料制备、流延成型、干燥、
