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近日，国产化粉末冶金铝基复合材料制动盘载客运营评审会在广东举行。由广州地铁集团有限公司城市轨道交通系统安全与运维保障国家工程研究中心牵头，湖南湘投轻材科技股份有限公司（以下简称湘投轻材）、中车株洲电力机车有限公司和克诺尔车辆设备（苏州）有限公司共同实施的粉末冶金铝基复合材料制动盘项目顺利通过评审。来自业内的专家组一致认为粉末冶金铝合金制动盘技术指标整体达到国际先进，部分指标达到国际领先，同意粉末冶
半导体前道设备零部件的种类众多，而且有很多是特定领域的专用品，根本不可能完全统计清楚。所以我暂时只能把一部分比较常规的类型先罗列出来，供大家参考：半导体前道设备部件分类包括：光学系统、真空系统、气路系统、液路系统、温控系统、运动系统、功能部件、材料部件、电器电源系统、泵类等，具体如下：以上就是诺一精密陶瓷关于“半导体前道设备部件分类表”的分享，部分内容来自网络，旨在分享，仅供参考。【工业陶瓷件加工
根据京瓷公司官网最新财报数据显示，2022财年京瓷公司尽管受到半导体短缺和原材料价格上涨的影响，但2022财年与2021财年相比，销售收入却增长了20.4%，创下了历史新高，营业利润增长110.8%，税前利润增长69.2%。一、精密陶瓷起家，从零部件拓展到解决方案，打造陶瓷巨头京瓷成立于1959年4月，初始注册资金300万日元，取名为“京都陶瓷株式会社”，创立之初专门从事精密陶瓷的研发和生产。公司
多层陶瓷基板技术源于20世纪50年代末期美国无线电（RCA）公司开发，现行的基本工艺技术（用流延法的生片制造技术、过孔形成技术和多层叠层技术）在当时就已被应用。多层陶瓷基板技术分为高温共烧陶瓷技术（HTCC，HighTemperatureco-firedCeramic）和低温共烧陶瓷技术（LTCC，LowTemperatureco-firedCeramic）。本文将介绍HTCC技术及应用。一、什么
烧结是粉末冶金、陶瓷、耐火材料等的一种重要工艺过程。烧结一般来说是把粉末或粉末压坏借助于热的作用(一般加热到低于其中基体成分熔点的温度)发生分子或者原子在固体状态中的相互吸引，经过物质的迁移使粉体产生强度并导致致密化和再结晶的过程，其显微结构由晶体、玻璃体和气孔组成。烧结过程直接影响材料的显微结构，即晶粒尺寸和分布、气孔尺寸和分布以及晶界体积分数等参数。烧结机理的描述可以归纳为两个方面：塑性变形机
智能手机、液晶电视、电脑、汽车这些产品中都应用了众多尖端的先进技术，而陶瓷在其中同样不可或缺。例如，一部智能手机中使用的微型电子元器件——陶瓷电容器，就有数百上千个之多。但这类陶瓷并不是人们生活中常见的“瓷砖”“瓷碗”，它们是使用高精工艺生产出来的先进陶瓷。那么，先进陶瓷是什么？有哪些特点和应用？让我们一同来看。先进陶瓷与传统陶瓷的区别陶瓷制品分为普通陶瓷与先进陶瓷两大类，其中的先进陶瓷，又称新型
功率电子器件即功率半导体器件（powerelectronicdevice），通常是指用于控制大功率电路的电子器件（数十至数千安培的电流，数百伏以上的电压）以及转换电力设备间电能的器件。功率半导体器件的大规模集成化、大功率小型化、高效率低损耗、超高频的发展而引发的电路发热也迅速提高，电子封装对基板材料的要求有：热导率高、介电常数低、与芯片材料的热膨胀系数相匹配、力学强度优良、加工性能好、成本低、耐热
氮化铝陶瓷硬度高、难加工。在氮化铝陶瓷的各应用领域中，都对其表面加工质量和精度提出了较高要求，脆硬材料在加工过程中容易产生脆性断裂引起加工表面产生破碎层、脆性裂纹、残余应力、塑性变形区等一系列表面缺陷。陶瓷基板在LED器件中主要面对热力学环境的工作条件，因而上述缺陷会极大地影响基板的性能，降低器件的使用稳定性和寿命。因此，实现氮化铝陶瓷基板表面的近无损伤加工是十分必要的。目前，为了获得表面质量较高
摘要：针对半导体工艺与制造装备的发展趋势进行了综述和展望。首先从支撑电子信息技术发展的角度，分析半导体工艺与制造装备的总体发展趋势，重点介绍集成电路工艺设备、分立器件工艺设备等细分领域的技术发展态势和主要技术挑战。在过去的20年中，个人计算机及手机的发展驱动半导体技术不断进步，先后创造了互联网时代和移动互联网时代，当前，云计算、大数据、人工智能、5G、物联网等成为新的发展热点，正在掀起信息技术创新
如果把芯片比作一幅平面雕刻作品，那么光刻机是打草稿的画笔，刻蚀机则是雕刻刀，沉积的薄膜则是用来雕刻的材料。光刻的精度直接决定了元器件刻画的尺寸，刻蚀和薄膜沉积的精度则决定了光刻的尺寸能否实际加工，而为了将芯片电路图从掩模转移到晶圆上，以实现预定的芯片功能，刻蚀工艺是其中重要的一环。在芯片制造中，光刻和刻蚀是两个精密相连的步骤，刻蚀的前道工序是光刻，通过光刻胶将电路图显影在晶圆上，之后再利用刻蚀的方
5月16日，京瓷在中期营运计划说明会上宣布，今后3年间（2023年-2025年）的设备投资总额最高将达8500亿日元（约合人民币435亿元），其中的4000亿日元（约合人民币205亿元）将用于发展半导体业务，对半导体的投资规模将达此前3年间（2020年-2022年）的2.3倍水平。这项三年的资本支出计划将是京瓷有史以来规模最大的资本支出计划，无论是总体投资还是半导体相关投资。此次对于其重金投入的半
