多层陶瓷基板技术源于20世纪50年代末期美国无线电（RCA）公司开发，现行的基本工艺技术（用流延法的生片制造技术、过孔形成技术和多层叠层技术）在当时就已被应用。多层陶瓷基板技术分为高温共烧陶瓷技术（HTCC，HighTemperature co-fired Ceramic）和低温共烧陶瓷技术（LTCC，Low Temperature co-fired Ceramic）。本文将介绍HTCC技术及应用。
20世纪80年代初，IBM公司商业化的主计算机的电路板（基板：33层和100倒装芯片粘结大规模集成电路器件）采用多层陶瓷基板技术，因为这些多层基板是用氧化铝绝缘材料和导体材料（Mo、W、Mo-Mn）在1600℃的高温下共烧的，故而成为高温共烧陶瓷（HTCC），以区别于后来开发的低温共烧陶瓷。
高温共烧陶瓷HTCC通常采用金属材料为钨、钼、锰等高熔点金属，按照电路设计要求，印刷于氧化铝/氮化铝/莫来石（相对较少）陶瓷生坯上，然后多层叠合，在1650～1850℃的高温下共烧成一体。
HTCC与低温共烧陶瓷技术（LTCC）制程相比较，二者陶瓷共烧温度、材料以及金属浆料选型有显著差别，此外，在烧结制程中，LTCC通常在空气气氛下共烧，而HTCC采用氢气气氛，保护W、Mo金属浆料不被氧化。
高温共烧陶瓷产品主要有陶瓷多层基板、陶瓷封装管壳、UVLED支架、VCSEL支架、各类加热片、散热电桥等，主要用于微波器件封装、大规模集成电路封装、混合集成电路封装、光电器件封装、SMD封装、LED芯片封装、半导体封装等多个封装领域。HTCC陶瓷基板烧结温度高，可以与可伐合金等金属材料进行一体化烧结，制成HTCC封装外壳，大大节约了布线空间。
由于高温共烧陶瓷HTCC具有结构强度高、热导率高、化学稳定性好和布线密度高等优点，在热稳定性要求更高、高温挥发性气体要求更小、密封性要求更高的发热及封装领域得到了广泛的应用。
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