目前，碳化硅陶瓷的烧结方法主要有热压烧结、无压烧结、反应烧结、重结晶烧结、微波烧结和放电等离子烧结法等。碳化硅陶瓷具有高硬度、高熔点、高耐磨性和耐腐蚀性，以及优良的抗氧化性、高温强度、化学稳定性、抗热震性、导热性能和气密性，具有广泛的应用。下面小编来给大家介绍关于无压碳化硅陶瓷烧结工艺以及应用的内容，欢迎阅读！
无压碳化硅陶瓷烧结工艺：
无压烧结被认为是有希望的SiC烧结烧结方法。根据不同的烧结机理，无压烧结可分为固相烧结和液相烧结。通过在超细β-SiC粉末中同时添加适量的B和C(氧含量小于2%)，将S. Proehazka在2020℃下烧结至密度高于98%的SiC烧结体。 A.Mulla等人。使用Al2O3和Y2O3作为添加剂，在1850-1950℃烧结0.5μmβ-SiC(颗粒表面含有少量SiO2)。所得SiC陶瓷的相对密度大于理论密度的95%，并且晶粒尺寸小且平均尺寸。它是1.5微米。
无压碳化硅陶瓷烧结材料的应用：
无压烧结碳化硅陶瓷材料，由于其具有：耐高温、高硬度、耐磨、耐腐蚀、抗氧化、抗热震、密度低等，因此，发展非常快，近十年来，它在国民经济和民生的各个领域得到了迅速普及，应用领域日益扩大。在航空航天、核工业、石油工业、化工、食品工业等特殊环境中要求高温、高速、耐腐蚀、真空、电绝缘、无磁性、干摩擦等，作为一种新型陶瓷材料，其不可或缺的替代功能逐渐被人们所认识。就以上的优点之外，无压烧结碳化硅陶瓷材料由于在使用中，游离硅和游离碳含量少，在精细化工行业里，在要求高清洁度、超纯净流体输送中，对环境和产品的纯净度提供了非常关键的保护作用。
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